參數(shù)資料
型號： MRFG35003MT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 344K
代理商： MRFG35003MT1
MRFG35003MT1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(V
DS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
1.3
—
Adc
Off State Leakage Current
(V
GS
= –0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
< 1.0
100
μ
Adc
Off State Drain Current
(V
DS
= 12 Vdc, V
GS
= –2.5 Vdc)
I
DSO
—
—
450
μ
Adc
Off State Current
(V
DS
= 28.5 Vdc, V
GS
= –2.5 Vdc)
I
DSX
—
< 1.0
7
mAdc
Gate–Source Cut–off Voltage
(V
DS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 6.5 mA)
V
GS(th)
–1.2
–0.9
–0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(V
DS
= 12 Vdc, I
D
= 80 mA)
V
GS(Q)
–1.2
–0.9
–0.7
Vdc
Power Gain
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3.55 GHz)
G
ps
10
11.5
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3.55 GHz)
P
1dB
—
3
—
W
Drain Efficiency
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, P
out
= 0.30 W Avg.,
f = 3.55 GHz)
D
23
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 12 Vdc, P
out
= 0.30 W Avg., I
DQ
= 55 mA,
f = 3.55 GHz, W–CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
–42
–40
dBc
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFIC0001 QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0903 ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0904 900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0912 900 MHz GaAs INTEGRATED POWER AMPLIFIER
MRFIC0913 900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35003N6AT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*