參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003MT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 344K
代理商： MRFG35003MT1
7
MRFG35003MT1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 2. Class AB Common Source S–Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 50 mA (continued)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
2.85
|S
11
|
0.868
∠ φ
136.03
|S
21
|
1.845
∠ φ
7.80
|S
12
|
0.043
∠ φ
–38.56
|S
22
|
0.537
∠ φ
153.86
2.90
0.866
134.67
1.828
6.20
0.043
–39.94
0.536
153.32
2.95
0.866
133.02
1.812
4.39
0.043
–41.41
0.534
152.08
3.00
0.868
131.47
1.795
2.53
0.043
–42.49
0.536
151.08
3.05
0.865
129.99
1.780
0.80
0.043
–43.57
0.535
150.49
3.10
0.864
128.11
1.766
–1.00
0.043
–44.68
0.532
149.20
3.15
0.865
126.39
1.745
–2.87
0.043
–45.67
0.533
148.09
3.20
0.864
124.86
1.728
–4.58
0.043
–46.62
0.533
147.42
3.25
0.861
122.97
1.714
–6.48
0.043
–47.78
0.531
146.29
3.30
0.863
121.30
1.697
–8.33
0.043
–49.02
0.532
145.13
3.35
0.862
119.77
1.681
–9.97
0.043
–49.91
0.532
144.52
3.40
0.860
117.84
1.665
–11.83
0.043
–50.93
0.529
143.46
3.45
0.862
116.26
1.648
–13.70
0.043
–51.73
0.529
142.35
3.50
0.861
114.65
1.630
–15.43
0.043
–52.55
0.530
141.50
3.55
0.860
112.77
1.620
–17.24
0.044
–53.64
0.527
140.51
3.60
0.862
111.19
1.602
–18.99
0.044
–54.74
0.525
139.19
3.65
0.861
109.76
1.584
–20.65
0.044
–55.56
0.525
138.23
3.70
0.860
108.08
1.572
–22.49
0.044
–56.84
0.524
137.30
3.75
0.861
106.70
1.557
–24.18
0.044
–58.11
0.523
136.00
3.80
0.862
105.31
1.544
–25.86
0.044
–59.31
0.524
134.95
3.85
0.862
103.85
1.533
–27.47
0.044
–60.49
0.523
134.13
3.90
0.861
102.50
1.519
–29.14
0.044
–61.50
0.521
132.71
3.95
0.862
101.16
1.508
–30.97
0.044
–62.41
0.522
131.61
4.00
0.861
99.84
1.499
–32.49
0.044
–63.14
0.520
130.97
4.05
0.861
98.44
1.494
–34.26
0.044
–64.07
0.518
129.57
4.10
0.861
97.12
1.482
–35.96
0.044
–64.91
0.518
128.23
4.15
0.859
96.07
1.474
–37.51
0.045
–65.77
0.515
127.49
4.20
0.858
94.61
1.471
–39.42
0.045
–67.06
0.512
125.93
4.25
0.859
93.26
1.463
–41.19
0.045
–68.21
0.512
124.32
4.30
0.859
92.06
1.458
–42.86
0.045
–69.40
0.511
123.47
4.35
0.857
90.72
1.457
–44.58
0.046
–70.54
0.507
122.03
4.40
0.857
89.22
1.450
–46.51
0.046
–71.95
0.508
120.25
4.45
0.855
87.99
1.446
–48.27
0.046
–73.34
0.508
119.27
4.50
0.855
86.49
1.453
–50.09
0.047
–74.58
0.504
117.72
4.55
0.855
84.61
1.448
–52.14
0.046
–75.92
0.503
115.65
4.60
0.854
83.10
1.449
–53.98
0.047
–76.82
0.501
114.46
4.65
0.853
81.10
1.454
–56.16
0.047
–78.14
0.495
112.83
4.70
0.851
78.94
1.450
–58.44
0.048
–79.84
0.492
110.59
4.75
0.851
77.09
1.450
–60.56
0.048
–81.55
0.491
109.01
4.80
0.848
74.85
1.450
–62.75
0.048
–83.28
0.486
107.24
4.85
0.849
72.60
1.448
–65.03
0.048
–84.88
0.483
105.01
4.90
0.845
70.48
1.443
–67.33
0.048
–86.30
0.482
103.27
4.95
0.841
68.09
1.443
–69.60
0.048
–87.72
0.477
101.51
5.00
0.841
65.50
1.442
–72.12
0.048
–89.22
0.474
99.28
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
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PDF描述
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