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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC4M32TG-10 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 16/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
| 代理商： | MT48LC4M32TG-10 |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
23
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 15: Random READ Accesses
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
DON’T CARE
DOUT
n
DOUT
a
DOUT
x
DOUT
m
READ
NOTES:
1) Each READ command may be to either bank. DQM is LOW.
READ
NOP
BANK,
COL a
BANK,
COL x
BANK,
COL m
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
DOUT
a
DOUT
x
DOUT
m
READ
NOP
BANK,
COL a
BANK,
COL x
BANK,
COL m
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
DOUT
a
DOUT
x
DOUT
m
READREADREAD
BANK,
COL a
BANK,
COL x
BANK,
COL m
CAS Latency = 1
CAS Latency = 2
CAS Latency = 3
TRANSITIONING DATA
2) Burst Length = 1, 2, 4, 8 or full page (if BL > 1 the following READ interrupts the previous)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LC4M4A1 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC4M4A1TGS | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC4M4A2 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC64M4A2 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC64M4A2_03 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM |
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