參數(shù)資料
型號(hào)： MT58V1MV18DT-10
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100
封裝： PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 8/34頁(yè)
文件大?。?/td> 521K
代理商： MT58V1MV18DT-10
18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36
PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L1MY18D_16_D.fm – Rev. D, Pub 2/03
16
2003 Micron Technology, Inc.
Table 17:
AC Electrical Characteristics and Recommended Operating Conditions
Note 11; notes appear following parameter tables on page 17; 0C
TA +70C; TJ 95C (commercial); TJ 110C
(industrial); VDD = 3.3V ±0.165V unless otherwise noted
DESCRIPTION
SYM
-5
-6
-7.5
-10
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Clock
Clock cycle time
tKC
5.0
6.0
7.5
10
ns
Clock frequency
fKF
200
166
133
100
MHz
Clock HIGH time
tKH
2.0
2.3
2.5
3.0
ns
Clock LOW time
tKL
2.0
2.3
2.5
3.0
ns
Output Times
Clock to output valid
tKQ
3.1
3.5
4.0
5.0
ns
Clock to output invalid
tKQX
1.0
1.5
ns
Clock to output in Low-Z
tKQLZ
0
ns
Clock to output in High-Z
tKQHZ
3.1
3.5
4.2
5.0
ns
6, 13, 14
OE# to output valid
tOEQ
3.1
3.5
4.0
5.0
ns
OE# to output in Low-Z
tOELZ
0
ns
OE# to output in High-Z
tOEHZ
3.0
3.5
4.5
ns
6, 13, 14
Setup Times
Address
tAS
1.4
1.5
2.0
ns
Address status
(ADSC#, ADSP#)
tADSS
1.4
1.5
2.0
ns
Address advance (ADV#)
tAAS
1.4
1.5
2.0
ns
Write signals
(BWa#-BWd#, GW#, BWE#)
tWS
1.4
1.5
2.0
ns
Data-in
tDS
1.4
1.5
2.0
ns
Chip enable (CE#)
tCES
1.4
1.5
2.0
ns
Hold Times
Address
tAH
0.4
0.5
ns
Address status (ADSC#, ADSP#)
tADSH
0.4
0.5
ns
Address advance (ADV#)
tAAH
0.4
0.5
ns
Write signals
(BWa#-BWd#, GW#, BWE#)
tWH
0.4
0.5
ns
Data-in
tDH
0.4
0.5
ns
Chip enable (CE#)
tCEH
0.4
0.5
ns
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