參數(shù)資料
型號： NAND01GW3B2AN6F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 52/64頁
文件大?。?/td> 632K
代理商： NAND01GW3B2AN6F
DC And AC parameters
NAND01G-B, NAND02G-B
56/64
Figure 31.
Block Erase AC Waveform
1.
Address cycle 3 is required for 2Gb devices only.
Figure 32.
Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GW3B2CZC1 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR3B3CZA1 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND02GR4B2BZB1 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NCH030A3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
NTHA3JAA3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW3B2AN6T 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND01GW3B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:閃存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND01GW3B2AZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 1GBIT 128MX8 25US 63VFBGA - Tape and Reel
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