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參數(shù)資料
| 型號： | NTA4001N |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Small Signal MOSFET(小信號N溝道20V，238mA MOSFET 帶ESD保護) |
| 中文描述： | 小信號MOSFET（小信號?溝道20V的，二百三十八毫安MOSFET的帶靜電放電保護） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | NTA4001N |
NTA4001N
http://onsemi.com
3
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
Figure 1. Onregion Characteristics
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 2.8 V
V
GS
= 2 V
V
GS
= 2.4 V
V
GS
= 1.4 V
V
GS
= 1.2 V
.
T
J
= 25
°
C
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
Figure 2. Transfer Characteristics
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
VDS = 5 V
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
R
(
,
R
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. Onresistance versus Drain Current
and Temperature
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
R
(
,
R
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. Onresistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
R
(
,
R
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. Onresistance Variation with
Temperature
I
D
= 0.01 A
V
GS
= 4.5 V
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
I
D
,
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTA7002N | Small Signal MOSFET(小信號N溝道230V，154mA MOSFET 帶ESD保護) |
| NTB10N60 | Power MOSFET 10 Amps, 601 Volts N-Channel(10A,600V,N溝道增強型MOS場效應(yīng)管(D2PAK封裝）) |
| NTP10N60 | Power MOSFET 10 Amps, 600 Volts N-Channel(10A,600V,N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（TO-220封裝）) |
| NTB12N50 | N-Channel Enhancement-Mode TMOS Power FET(12A,500V,N溝道增強型TMOS場效應(yīng)管) |
| NTB13N10 | Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N–Channel Enhancement–Mode(13 A, 100 V，N通道，增強模式功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTA4001NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 238mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTA4001NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 238mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTA411 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| NTA4141PT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTA4151P | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89 |
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