參數(shù)資料
型號(hào)： NX3008CBKS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 - 30 V, 350 - 200 mA N-P-channel Trench MOSFET
中文描述： 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/21頁(yè)
文件大?。?/td> 1509K
代理商： NX3008CBKS
NX3008CBKS
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Product data sheet
Rev. 1 — 29 July 2011
12 of 21
NXP Semiconductors
NX3008CBKS
30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET
I
D
= 350 mA; V
DS
= 15 V; T
amb
= 25 °C
Fig 17. TR1: Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 18. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V
(1) T
j
= 150 °C
(2) T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
Fig 19. TR1: Source current as a function of
source-drain voltage; typical values
Fig 20. TR2: Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
001aao275
Q
G
(nC)
0.0
0.6
0.4
0.2
2
3
1
4
5
V
GS
(V)
0
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
001aao276
V
SD
(V)
0.0
1.2
0.6
0.4
0.2
0.1
0.3
0.4
I
S
(A)
0.0
(2)
(1)
V
DS
(V)
0
-4
-3
-1
-2
001aao256
-0.10
-0.15
-0.05
-0.20
-0.25
I
D
(A)
0.00
-2 V
-2.5 V
V
GS
= -1.5 V
-4.5 V
-3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008CBKV 30 - 30 V, 400 - 220 mA N-P-channel Trench MOSFET
NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NX3008CBKS,115 功能描述:MOSFET 30/30V, 350/200 MA N/P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008CBKV 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N/P CH 30/30V 400/220MASOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N/P CH, 30/30V, 400/220MA,SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N/P CH, 30/30V, 400/220MA,SOT666; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:400mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:330mW ;RoHS Compliant: Yes
NX3008CBKV,115 功能描述:MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 400MA SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 400MA, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 400MA, SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain
NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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