參數(shù)資料
型號(hào): NX3008NBKS
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述: SMALL SIGNAL, FET
封裝: PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù): 3/17頁
文件大?。?/td> 891K
代理商: NX3008NBKS
NX3008NBKS
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Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
3 of 17
NXP Semiconductors
NX3008NBKS
30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
[2]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[3]
Measured between all pins.
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
Per transistor
V
DS
V
GS
I
D
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
T
j
= 25 °C
-
-8
30
8
350
230
1.4
280
320
990
V
V
mA
mA
A
mW
mW
mW
V
GS
= 4.5 V; T
amb
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V; T
amb
= 100 °C
T
amb
= 25 °C; single pulse; t
p
10 μs
T
amb
= 25 °C
[1]
-
[1]
-
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
-
[2]
-
[1]
-
T
sp
= 25 °C
-
Per device
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
Source-drain diode
I
S
ESD maximum rating
V
ESD
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
T
amb
= 25 °C
[2]
-
445
150
150
150
mW
°C
°C
°C
-55
-55
-65
source current
T
amb
= 25 °C
-
300
mA
electrostatic discharge voltage
HBM
[3]
-
2000
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
NX3008NBKT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 350MA SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
NX3008NBKT,115 功能描述:MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKV 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETNN CH 30V 400MA SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH, 30V, 400MA, SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH, 30V, 400MA, SOT666, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous