參數(shù)資料
型號： NX3008NBKS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 8/17頁
文件大?。?/td> 891K
代理商： NX3008NBKS
NX3008NBKS
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Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
8 of 17
NXP Semiconductors
NX3008NBKS
30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C; V
DS
= 5 V
(1) minimum values
(2) typical values
(3) maximum values
Fig 6.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 7.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
T
j
= 25 °C
(1) V
GS
= 1.5 V
(2) V
GS
= 1.75 V
(3) V
GS
= 2.0 V
(4) V
GS
= 2.25 V
(5) V
GS
= 2.5 V
(6) V
GS
= 4.5 V
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
I
D
= 350 mA
(1) T
j
= 150 °C
(2) T
j
= 25 °C
Fig 8.
Fig 9.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
V
DS
(V)
0
4
3
1
2
001aao267
0.2
0.1
0.3
0.4
I
D
(A)
0.0
4.5 V
2.5 V
1.75 V
2 V
1.5 V
V
GS
= 1.25 V
001aao268
V
GS
(V)
0.0
1.5
1.0
0.5
10
-4
10
-5
10
-3
I
D
(A)
10
-6
(1)
(3)
(2)
I
D
(A)
0.0
0.4
0.3
0.1
0.2
001aao269
2
4
6
R
DS
(on)
(Ω)
0
(1)
(3)
(6)
(5)
(2)
(4)
V
GS
(V)
0
5
4
2
3
1
001aao270
2
4
6
R
DS
(on)
(Ω)
0
(2)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
NX3008NBKT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 350MA SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
NX3008NBKT,115 功能描述:MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKV 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETNN CH 30V 400MA SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH, 30V, 400MA, SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH, 30V, 400MA, SOT666, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous
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