參數(shù)資料
型號(hào)： NX3008NBKV
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/17頁(yè)
文件大?。?/td> 863K
代理商： NX3008NBKV
NX3008NBKV
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Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
8 of 17
NXP Semiconductors
NX3008NBKV
30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C; V
DS
= 5 V
(1) minimum values
(2) typical values
(3) maximum values
Fig 6.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 7.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
T
j
= 25 °C
(1) V
GS
= 1.5 V
(2) V
GS
= 1.75 V
(3) V
GS
= 2.0 V
(4) V
GS
= 2.25 V
(5) V
GS
= 2.5 V
(6) V
GS
= 4.5 V
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
I
D
= 400 mA
(1) T
j
= 150 °C
(2) T
j
= 25 °C
Fig 8.
Fig 9.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
V
DS
(V)
0
4
3
1
2
001aao267
0.2
0.1
0.3
0.4
I
D
(A)
0.0
4.5 V
2.5 V
1.75 V
2 V
1.5 V
V
GS
= 1.25 V
001aao268
V
GS
(V)
0.0
1.5
1.0
0.5
10
-4
10
-5
10
-3
I
D
(A)
10
-6
(1)
(3)
(2)
I
D
(A)
0.0
0.4
0.3
0.1
0.2
001aao269
2
4
6
R
DS
(on)
(Ω)
0
(1)
(3)
(6)
(5)
(2)
(4)
V
GS
(V)
0
5
4
2
3
1
001aao270
2
4
6
R
DS
(on)
(Ω)
0
(2)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET
NX3008PBKT 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
NX3008PBKV 30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NX3008NBKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 350MA SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
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