參數(shù)資料
型號： NX3008NBKV
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, 6 PIN
文件頁數(shù)： 9/17頁
文件大?。?/td> 863K
代理商： NX3008NBKV
NX3008NBKV
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
9 of 17
NXP Semiconductors
NX3008NBKV
30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
V
DS
> I
D
x R
DSon
(1) T
j
= 25 °C
(2) T
j
= 150 °C
Fig 10. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 11. Normalized drain-source on-state resistance as
a function of junction temperature; typical
values
I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
(1) maximum values
(2) typical values
(3) minimum values
f = 1 MHz; V
GS
= 0 V
(1)C
iss
(2)C
oss
(3)C
rss
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 12. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
001aao271
V
GS
(V)
0
3
2
1
0.2
0.1
0.3
0.4
I
D
(A)
0.0
(2)
(1)
T
j
(C)
-60
180
120
0
60
001aao272
1.0
0.5
1.5
2.0
a
0.0
T
j
(C)
-60
180
120
0
60
001aao273
0.5
1.0
1.5
V
GS(th)
(V)
0.0
(2)
(1)
(3)
001aao274
V
DS
(V)
10
-1
10
2
10
1
10
10
2
C
(pF)
1
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET
NX3008PBKT 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
NX3008PBKV 30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NX3008NBKV,115 功能描述:MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 350MA SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
NX3008NBKW,115 功能描述:MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008PBK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 30V 230MA SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, 230MA, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, 230MA, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-230mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV ;RoHS Compliant: Yes
NX3008PBK,215 功能描述:MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*