參數(shù)資料
型號(hào)： P28F010-120
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDIP32
封裝： 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32
文件頁數(shù)： 28/30頁
文件大?。?/td> 405K
代理商： P28F010-120
28F010
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
Parameter
Chip Erase Time
Chip Program Time
Notes
1, 3, 4
1, 2, 4
Min
Typical
1
2
Max
10
12.5
Unit
Sec
Sec
NOTES:
1. ‘‘Typicals’’ are not guaranteed, but based on samples from production lots. Data taken at 25
§
C, 12.0V V
PP
.
2. Minimum byte programming time excluding system overhead is 16
m
sec (10
m
sec program
a
6
m
sec write recovery),
while maximum is 400
m
sec/byte (16
m
sec x 25 loops allowed by algorithm). Max chip programming time is specified lower
than the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst case
byte.
3. Excludes 00H programming prior to erasure.
4. Excludes system level overhead.
28
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P28F010-150 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F020-90 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F020-120 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F020-150 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F256A-120 x8 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P28F010150 制造商:INTEL 功能描述:*
P28F010-150 制造商:Intel 功能描述:
P28F010-200 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
P28F010-65 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F010-90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
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