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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P28F020-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDIP32 |
| 封裝： | 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 17/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 878K |
| 代理商： | P28F020-120 |
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E
28F020
17
Table 4. 28F020 Typical Update Power Dissipation
(4)
Operation
Notes
Power Dissipation (Watt-Seconds)
Array Program/Program Verify
1
0.34
Array Erase/Erase Verify
2
0.37
One Complete Cycle
3
1.05
NOTES:
1.
Formula to calculate typical Program/Program Verify Power = [V
PP
x # Bytes typical # Prog Pulse (t
× I
PP2
typical +
t
WHGL
× I
PP4
typical)] + [V
CC
× # Bytes × typical # Prog Pulses (t
WHWH1
× I
CC2
typical + t
WHGL
× I
CC4
typical)].
Formula to calculate typical Erase/Erase Verify Power = [V
(I
typical × t
ERASE
typical + I
PP5
typical × t
WHGL
× # Bytes)]
+ [V
CC
(I
CC3
typical × t
ERASE
typical + I
CC5
typical × t
WHGL
× # Bytes)].
One Complete Cycle = Array Preprogram + Array Erase + Program.
“Typicals” are not guaranteed but based on a limited number of samples from 28F020-150 production lots.
2.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P28F020-150 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| P28F256A-120 | x8 Flash EEPROM |
| D28F256-170P1C2 | x8 Flash EEPROM |
| D28F256-200P1C2 | x8 Flash EEPROM |
| D28F256-250P1C2 | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P28F020150 | 制造商:Intel 功能描述: |
| P28F020-150 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: |
| P28F02090 | 制造商:Intel 功能描述: |
| P28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| P28F-1A-BL | 制造商:Carling Technologies 功能描述:P26-SERIES PUSH BUTTON SW - Bulk |
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