參數(shù)資料
型號： PDTA114ZT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： PNP配電阻型晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： PDTA114ZT
1999 May 25
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA143ZT
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
65
65
+5
30
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.3
3.3
TYP.
0.6
0.9
4.7
MAX.
100
1
50
170
100
0.5
6.1
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
0.3 V
resistor ratio
8
10
12
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
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