參數(shù)資料
型號： PDTA114ZT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： PNP配電阻型晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 50K
代理商： PDTA114ZT
1999 May 25
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA143ZT
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
MBK798
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
hFE
3
10
10
2
1
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
MBK797
(1)(2)(3)
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
VCEsat
(mV)
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
1
10
1
MBK800
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
Vi(off)
(V)
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
0.3 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
2
1
10
10
1
MBK799
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Vi(on)
(V)
(1)(2)(3)
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