參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC114E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
中文描述： NPN配電阻型晶體管;R1=10千歐姆，R2=10千歐姆
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： PDTC114E
2004 Aug 05
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor;
R1 = 10 k
, R2 = 10 k
PDTC114E series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
50
V
I
O
R1
R2
10
10
100
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
PNP COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
09
09
04
DS
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
TC114E
*16
(1)
*09
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC114 NPN resistor-equipped transistor
PDTC114TEF PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor
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參數(shù)描述
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PDTC114EE T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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PDTC114EE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT416
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