參數(shù)資料
型號： PDTC114E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
中文描述： NPN配電阻型晶體管;R1=10千歐姆，R2=10千歐姆
文件頁數(shù)： 5/14頁
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代理商： PDTC114E
2004 Aug 05
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor;
R1 = 10 k
, R2 = 10 k
PDTC114E series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
30
2.5
7
TYP.
1.1
1.8
10
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
= 50 V; I
E
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 5 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 0.3 V
100
1
50
400
150
0.8
13
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
2.5
pF
R1
R2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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