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參數(shù)資料
| 型號： | PHB71NQ03LT |
| 英文描述： | Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | PHB71NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD71NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 25 June 2002
7 of 14
9397 750 09821
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ai29
0
0.8
1.6
2.4
3.2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03ai28
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
VGS(V)
typ
max
min
03ai81
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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