參數資料
型號： PHB71NQ03LT
英文描述： Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對263AB
文件頁數： 8/14頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： PHB71NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD71NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 25 June 2002
8 of 14
9397 750 09821
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ai80
0
20
40
60
80
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
T
j
= 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ai82
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 50 A
Tj = 25
°
C
VDD = 15 V
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PHB73N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB78NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB78NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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