參數(shù)資料
型號： PHD50N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 50 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： PHD50N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 40 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
September 1998
6
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP50N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD55N04LT Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP55N04LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB
PHB55N04LT RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PHB55N03 TrenchMOS transistor Standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD55N03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA
PHD55N03LT/T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR POWER MOSFET D-PAK
PHD55N03LTA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
PHD55N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD55N04LT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-252AA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*