參數(shù)資料
型號(hào)： PHE13002AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： PHE13002AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13002AU
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
mb
)
!
Fig.4. Transient thermal impedance.
Zth
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.6. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
300R
10us
1ms
t / s
0.1s
10ms
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D=
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
10
100
250
0
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
2
5
10
15
20
30
50
IC/A
HFE
125 C
-40 C
25 C
VCE = 1V
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
2
5
10
15
20
30
50
IC/A
HFE
125 C
25 C
-40 C
VCE = 5V
January 2000
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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參數(shù)描述
PHE13003 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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PHE13003A,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003A,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003A126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9
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