參數(shù)資料
型號： PHE13002AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： PHE13002AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13002AU
Fig.13. Inductive switching.
tsi = f(h
FE
)
Fig.14. Inductive switching.
tsi = f(I
C
)
RESISTIVE SWITCHING
Fig.15. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
CC
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.16. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.17. Resistive switching.
ton = f(h
FE
)
Fig.18. Resistive switching.
ton = f(I
C
)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
HFE GAIN (IC/IB)
tsi /us
IC = 1.5A
IC = 1A
IC = 0.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
tsi /us
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
0.5
1
1.5
2
HFE GAIN (IC/IB)
ton /us
IC = 1.5A
IC = 1A
IC = 0.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.5
1
1.5
2
ton /us
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 3
January 2000
5
Rev 1.000
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PDF描述
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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PHE13003A126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9
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