參數(shù)資料
型號： PHE13002AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： PHE13002AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13002AU
Fig.19. Resistive switching.
ts = f(h
FE
)
Fig.20. Resistive switching.
ts = f(I
C
)
Fig.21. Resistive switching.
tf = f(h
FE
)
Fig.22. Resistive switching.
tf = f(I
C
)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
0.5
1
1.5
2
HFE GAIN (IC/IB)
ts /us
IC = 0.5A
IC = 1A
IC = 1.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
ts us
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
200
400
600
800
HFE GAIN (IC/IB)
tf /ns
IC = 0.5A
IC = 1A
IC = 1.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC /A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
50
100
200
500
1,000
2,000
5,000
tf /ns
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
Fig.23. Test Circuit for the RBSOA test.
V
cl
≤
600V; V
cc
= 150V; L
B
= 1
μ
H; L
c
= 200
μ
H
Fig.24. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
for -V
BE
= 9V, 5V,3V & 1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
100
200
300
VCEclamp/V
400
500
600
700
800
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
IC/A
-9V
-5V
-3V
-1V
January 2000
6
Rev 1.000
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PDF描述
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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PHE13003A,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003A126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9
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