參數(shù)資料
型號： PHE13003AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： PHE13003AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13003AU
Fig.7. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
Fig.8. Base-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
Fig.9. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V, L
C
= 200
μ
H; L
B
= 1
μ
H
Fig.10. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.11. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.12. Switching times waveforms with resistive load.
0.01
0.1
1
2
0
0.5
1
1.5
2
IC, COLLECTOR CURRENT/A
VCEsat VOLTAGE/V
IC/IB = 3
25 C
-40 C
125 C
0.01
0.1
1
2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT/A
VBEsat VOLTAGE/V
IC/IB = 3
25 C
125 C
-40 C
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
September 1999
4
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB6100MR06 CAPACITOR CLASS X2 0.1UF
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