參數(shù)資料
型號： PHE13003AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 49K
代理商： PHE13003AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13003AU
Fig.13. Test Circuit for the RBSOA test.
V
cl
≤
700V; V
cc
= 150V; L
B
= 1
μ
H; L
c
= 200
μ
H
Fig.14. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
for -V
BE
= 9V, 5V,3V & 1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
100
200
300
VCEclamp/V
400
500
600
700
800
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
IC/A
-9V
-5V
-3V
-1V
September 1999
5
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB6100MR06 CAPACITOR CLASS X2 0.1UF
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PHE13003C,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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PHE13003C126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1.5 A 3-TO
PHE13005 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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