參數(shù)資料
型號: PHE13003AU
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述: 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝: PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 49K
代理商: PHE13003AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13003AU
MECHANICAL DATA
Fig.15. SOT533 surface mounting package. Pin 2 connected to mounting base.
REFERENCES
OUTLINE
EUROPEAN
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT533
99-02-18
TO-251
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended package (Philips version of I-PAK); 3 leads (in-line)
SOT533
UNIT
D
e
Q
L
c
e1
A
2.285
mm
2.38
7.28
A1
0.89
b
0.89
0.56
0.46
E
1
D1
1.06
0.96
E
6.73
6.47
5.36
5.26
4.57
9.8
9.4
1.00
1.10
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
D
D1
L
1
2
3
mounting
base
e1
e
Q
b
A
E
E1
A1
c
w
M
September 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB6100MR06 CAPACITOR CLASS X2 0.1UF
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PHE13003C,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003C,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT Silicon diffused power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003C126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1.5 A 3-TO
PHE13005 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2