參數(shù)資料
型號(hào)： PHM18NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： PHM18NQ15T
Philips Semiconductors
PHM18NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 20 August 2004
4 of 12
9397 750 13865
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
2
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03aj27
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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