參數(shù)資料
型號： PHM18NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 91K
代理商： PHM18NQ15T
Philips Semiconductors
PHM18NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 20 August 2004
6 of 12
9397 750 13865
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa244
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
3.0 V
3.2 V
3.8 V
10 V
VGS = 3.6 V
3.4 V
003aaa245
0
2
4
6
8
2
3
4
(A)
ID
VGS (V)
Tj = 150
°
C
25
°
C
003aaa709
0
50
100
150
200
R
DSon
(m
)
0
4
8
12
I
D
(A)
V
GS
= 5 V
10 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
03al51
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
T
j
(
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關PDF資料
PDF描述
PHM30NQ10T TrenchMOS?? standard level FET
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參數(shù)描述
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