參數(shù)資料
型號： PHP101NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 279K
代理商： PHP101NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHU101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
3 of 13
9397 750 10927
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03ai19
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ai21
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
PHP11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
PHD11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
PHP125N06L TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP101NQ03LT,127 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP101NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
PHP101NQ04T 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP101NQ04T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP1025 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*