參數(shù)資料
型號(hào)： PHP101NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大小： 279K
代理商： PHP101NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHU101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
7 of 13
9397 750 10927
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ai29
0
0.8
1.6
2.4
3.2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03ai28
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
VGS(V)
typ
max
min
03ai26
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
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參數(shù)描述
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PHP101NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
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PHP101NQ04T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP1025 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor
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