參數(shù)資料
型號： PHP50N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 50 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： PHP50N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm : Net Mass: 1.4 g
Fig.20. SOT428 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.21. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.22 max
2.38 max
0.93 max
6.73 max
tab
0.3
0.5
10.4 max
0.5
0.8 max
(x2)
2.285 (x2)
seating plane
1.1
0.5 min
5.4
4 min
4.6
1
2
3
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
September 1998
9
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD55N04LT Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP55N04LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB
PHB55N04LT RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PHB55N03 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB55N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP52N06T 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP52N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP54N06T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP54N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP55N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
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