- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄11556 > PIC16C712-04/SO (Microchip Technology)IC MCU OTP 1KX14 A/D PWM 18SOIC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PIC16C712-04/SO |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 80/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX14 A/D PWM 18SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Asynchronous Stimulus |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 42 |
| 系列： | PIC® 16C |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 13 |
| 程序存儲器容量： | 1.75KB（1K x 14） |
| 程序存儲器類型： | OTP |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x8b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁當(dāng)前第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁
2005 Microchip Technology Inc.
DS41106B-page 73
PIC16C712/716
12.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings ()
Ambient temperature under bias............................................................................................................ .-55°C to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65°C to +150°C
Voltage on any pin with respect to VSS (except VDD, MCLR, and RA4) ......................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Voltage on VDD with respect to VSS ......................................................................................................... -0.3V to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to VSS (Note 2) ......................................................................................... 0V to +13.25V
Voltage on RA4 with respect to Vss ............................................................................................................... 0V to +8.5V
Total power dissipation (Note 1) (PDIP and SOIC) ................................................................................................... 1.0W
Total power dissipation (Note 1) (SSOP) ................................................................................................................0.65W
Maximum current out of VSS pin ........................................................................................................................... 300 mA
Maximum current into VDD pin .............................................................................................................................. 250 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
...................................................................................................................... ±20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
.............................................................................................................. ±20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .................................................................................................... 25 mA
Maximum current sunk by PORTA and PORTB (combined)................................................................................. 200 mA
Maximum current sourced by PORTA and PORTB (combined) ........................................................................... 200 mA
Note 1: Power dissipation is calculated as follows: Pdis = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)
2: Voltage spikes below VSS at the MCLR/VPP pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
Ω should be used when applying a “l(fā)ow” level to the MCLR/VPP pin rather
than pulling this pin directly to VSS.
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W2L16C474MAT1A | CAP CER 0.47UF 6.3V 20% X7R 0508 |
| W2L16C334MAT1S | CAP CER 0.33UF 6.3V 20% X7R 0508 |
| V110A28C400BL2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 400W |
| W2L16C334MAT1A | CAP CER 0.33UF 6.3V 20% X7R 0508 |
| W2L14D684MAT1S | CAP CER 0.68UF 4V 20% X7R 0508 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PIC16C71-20I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 36 RAM 13 I/O 20MHz IndTemp PDIP18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PIC16C71-20I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC 8BIT CMOS MCU 16C71 DIP18 |
| PIC16C71-20I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 36 RAM 13 I/O 20MHz IndTemp SOIC18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PIC16C712-20/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB OTP 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PIC16C712-20/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。