參數(shù)資料
型號(hào)： PTF180601E
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
中文描述： LDMOS的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60瓦，DCS / PCS的兆赫波段1805至80年，1930-1990兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： PTF180601E
Data Sheet
4
2004-05-03
PTF180601
Typical Performance
(cont.)
Output Power, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A
15
16
17
18
19
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
Frequency (MHz)
G
35
40
45
50
55
O
E
Gain
Efficiency
Output Power
Power Gain vs. Output Power
V
DD
= 28 V, f = 1990 MHz
15
16
17
18
0
1
Output Power (W)
10
100
P
I
DQ
= 600 mA
I
DQ
= 800 mA
I
DQ
= 1.0 A
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A, P
OUT
= 60 W
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
1900
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
30
40
50
60
70
Gain
Return Loss
Efficiency
E
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A, P
OUT
= 10 W
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
1900
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
6
9
12
15
18
21
24
27
30
Gain
Return Loss
Efficiency
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF180901E GSM/EDGE RF Power FET
PTF180901F GSM/EDGE RF Power FET
PTF181301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF191601 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF180901E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET
PTF180901F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET
PTF181301 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301A 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF18PSPS 功能描述:CBL ASSY TFX UHFM UHFM RoHS:是 類別:電纜組件 >> 同軸，RF 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:母型至公型 樣式:BNC 至 N 型 第一連接器:BNC 公插頭 第二連接器:N 母插孔 長(zhǎng)度:- 纜線類型:- 阻抗:- 頻率 - 最大:- 顏色:- 特點(diǎn):- 工作溫度:- 其它名稱:RAD-CON-N-BNC-BS
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