參數(shù)資料
型號： PTF210301
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管30瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 337K
代理商： PTF210301
PTF210301
Data Sheet
3
2003-12-22
Single–Carrier WCDMA Drive–Up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 380 mA, f = 2140 MHz,
3GPP WCDMA signal, TM1 w/16 DPCH, 67%
Clipping, P/A R = 8.7 dB, 3.84 MHz BW
-60
-55
-50
-45
-40
-35
28
32
36
40
Average Output Power (dBm)
A
P
0
10
20
30
D
ACPR Low
Efficiency
ACPR Up
Two–Tone Drive–Up at Optimum I
DQ
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 380 mA,
f = 2140 MHz, Tone Spacing = 1 MHz
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
32
36
40
44
48
Output Power, PEP (dBm)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
D
IM5
Efficiency
IM7
IM3
I
Intermodulation Distortion Products
vs. Tone Spacing
V
DD
= 28V I
DQ
= 380 mA, f = 2140 MHz,
Output Power = 44.75 dBm PEP
-25
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-5
5
15
25
35
Tone Spacing (MHz)
I
(
3rd Order
5th
7th
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
32
34
36
38
40
42
44
46
Output Power, PEP (dBm)
3
Intermodulation Distortion vs. Output Power
V
DD
= 28 V, f = 2140 MHz, Tone Spacing = 1 MHz
300 mA
380 mA
420 mA
455 mA
345 mA
Typical Performance
(cont.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210301E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E BASIC SWITCH
PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210301A 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210301E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210451 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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