參數(shù)資料
型號(hào)： PTF210301A
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管30瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： PTF210301A
Data Sheet
4
2003-12-22
PTF210301
Broadband Circuit Impedance Data
IM3, Drain Efficiency and Gain
vs. Supply Voltage
I
DQ
= 380 mA, f = 2140 MHz, Tone Spacing = 1 MHz,
Output Power (PEP) = 44.75 dBm
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
Supply Voltage (V)
3
D
10
15
20
25
30
35
40
45
G
D
Gain
Efficiency
IM3 Up
0.95
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
-20
20
60
100
Case Temperature (°C)
N
0.20
0.77
1.33
1.90
2.47
3.03
Gate-Source Voltage vs. Case Temperature
Voltage normalized to typical gate voltage.
Series show current.
Typical Performance
(cont.)
Z Source
Z Load
G
S
D
Frequency
Z Source
Z Load
MHz
R
jX
R
jX
2070
12.6
–4.3
5.5
–5.7
2110
13.5
–3.8
5.1
–5.4
2140
14.2
–3.6
4.8
–4.9
2170
15.0
–3.6
4.4
–4.6
2210
16.1
–3.7
4.0
–4.3
0
0
0
0
0
0
0.1
0
.2
<
-
W
A
E
L
N
G
T
S
O
W
A
D
O
D
0
.
2210 MHz
2070 MHz
2210 MHz
2070 MHz
Z Load
Z Source
Z
0
= 50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210301E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E BASIC SWITCH
PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210301E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210451 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
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