參數(shù)資料
型號(hào)： PTF210451
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管45瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 406K
代理商： PTF210451
Data Sheet
2
2003-12-22
PTF210451
DC Characteristics
at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain–Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 10 μA
V
(BR)DSS
65
—
—
V
Drain Leakage Current
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1.0
μA
On–State Resistance
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
R
DS(on)
—
0.2
—
Operating Gate Voltage
V
DS
= 28 V, I
DQ
= 500 mA
V
GS
2.5
3.2
4.0
V
Gate Leakage Current
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
I
GSS
—
—
1.0
μA
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
V
Gate–Source Voltage
V
GS
–0.5 to +12
V
Junction Temperature
T
J
200
°C
Total Device Dissipation
Above 25°C derate by
P
D
175
1.0
W
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (T
CASE
= 70°C, 45 W CW)
R
θ
JC
1.0
°C/W
Typical Performance
(data taken in production test fixture)
Broadband Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 500 mA, P
OUT
= 40 dBm
0
2070
5
10
15
20
25
30
2105
2140
2175
2210
Frequency (MHz)
G
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
I
Input Retrun Loss
Gain
Efficiency
Power Sweep, CW Conditions
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 500 mA, f = 2170 MHz
12
13
14
15
16
17
34
36
38
40
42
44
46
48
Output Power (dBm)
G
10
20
30
40
50
60
D
Efficiency
Gain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF211301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211802 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451F V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF210451FV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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