參數(shù)資料
型號： PTF210451
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管45瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： PTF210451
Data Sheet
3
2003-12-22
PTF210451
Typical Performance
(cont.)
Intermodulation Distortion vs. Output Power
for selected currents
V
DD
= 28 V, f = 2140 MHz, tone spacing = 1 MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
34
36
38
40
42
44
46
48
Output Power, PEP (dBm)
I
0.40 A
0.60 A
0.45 A
0.55 A
0.50 A
Intermodulation Distortion Products
vs. Tone Spacing
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 500 mA, f = 2140 MHz,
P
OUT
= 45 W PEP
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
0
10
20
30
40
Tone Spacing (MHz)
I
3rd Order
7th Order
5th Order
Two–Tone Drive–Up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 500 mA, f = 2140 MHz,
tone spacing = 1MHz
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
34
36
38
40
42
44
46
48
Peak Output Power (dBm)
I
5
10
15
20
25
30
35
40
45
D
Efficiency
IM3
IM7
IM5
Single–Carrier WCDMA Drive–Up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 500 mA, f = 2140 MHz, 3GPP WCDMA
signal, Test Model 1 w/16 DPCH, 67% clipping,
P/A R = 8.7 dB, 3.84 MHz BW
-35
Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
30
32
34
36
38
40
42
Avgerage Output Power (dBm)
A
5
10
15
20
25
30
D
ACPR Low
ACPR Up
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF211301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211802 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210451E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451F V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF210451FV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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