參數(shù)資料
型號： PTF210451
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應晶體管45瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 406K
代理商： PTF210451
Data Sheet
5
2003-12-22
PTF210451
Test Circuit
Test Circuit Schematic for 2170 MHz
Circuit Assembly Information
DUT
Circuit Board
PTF210451E
0.79 mm. [.031”] thick,
ε
r
= 4.5
LDMOS Transistor
Rogers TMM4, 2 oz. copper
Microstrip
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7
l
8
l
9
l
10
l
11
l
12
Electrical Characteristics at 2170 MHz
0.047
λ
, 45
0.040
λ
, 23
0.132
λ
, 66
0.028
λ
, 45
0.018
λ
, 12
0.074
λ
, 7
0.152
λ
, 9
0.257
λ
, 68
0.027
λ
, 44
0.056
λ
, 56
0.036
λ
, 19
0.076
λ
, 44
Dimensions: L x W (mm.)
3.48 x 1.78
2.87 x 4.57
10.08 x 0.89
2.08 x 1.78
26.67 x 10.06
4.98 x 17.68
10.34 x 13.56
19.76 x 0.84
1.98 x 1.83
4.22 x 1.22
2.57 x 5.74
5.64 x 1.80
Dimensions: L x W (in.)
0.137 x 0.070
0.113 x 0.180
0.397 x 0.035
0.082 x 0.070
1.050 x 0.396
0.196 x 0.696
0.407 x 0.534
0.778 x 0.033
0.078 x 0.072
0.166 x 0.048
0.101 x 0.226
0.222 x 0.071
210451E SCHEMATIC DWG FOR DATA SHEET.dwg
相關PDF資料
PDF描述
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF211301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211802 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210451E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451F V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF210451FV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*