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參數(shù)資料
| 型號： | PTF210901E |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz |
| 中文描述： | LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管90瓦，二一一〇年至2170年兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | PTF210901E |
Data Sheet
4
2004-01-16
PTF210901
Z Source
Z Load
G
S
D
Broadband Circuit Impedance Data
2070 MHz
0
0
0.1
0
2
<
-
W
A
E
L
N
G
T
S
O
W
A
D
O
D
0
.
2200 MHz
2070 MHz
2200 MHz
Z Load
Z Source
Z
0
= 50
IM3, Drain Efficiency and Gain
vs. Supply Voltage
I
DQ
= 1050 mA, f = 2140 MHz, P
OUT
= 90 W PEP,
tone spacing = 1 MHz
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
22
24
26
Drain Voltage (V)
28
30
32
34
E
G
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
I
Drain Efficiency
IM3
Gain
Bias Voltage vs. Temperature
Voltage normalized to typical gate voltage.
Series show current.
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
-20
5
30
55
80
105
Case Temperature (oC)
N
7.50 A
9.00 A
6.00 A
4.50 A
3.00 A
1.50 A
Typical Performance
(cont.)
Frequency
Z Source
Z Load
MHz
2070
R
jX
R
jX
5.11
–7.00
2.14
0.62
2110
4.78
–6.74
2.03
0.97
2140
4.57
–6.50
1.99
1.21
2170
4.35
–6.30
1.92
1.45
2200
4.12
–6.11
1.88
1.67
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF211301 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211301A | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211802 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211802A | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211802E | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF211301 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211301A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz |
| PTF211802 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz |
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