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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2195 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 16米x 64位江戶(hù)內(nèi)存3.3V的16米x 72位江戶(hù)記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2195 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
14. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
~
~
~
~
~
~
~
SPT03919
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
WE
RAS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
t
CKS
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2245 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2246 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
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