參數(shù)資料
型號(hào): S71GL064A08BAI0F3
廠商: SPANSION LLC
元件分類: 存儲(chǔ)器
英文描述: Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
中文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁(yè)數(shù): 115/134頁(yè)
文件大小: 2383K
代理商: S71GL064A08BAI0F3
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February 8, 2005 S71GL064A_00_A2
S71GL064A based MCPs
79
Advance
Informatio n
Table 17. 32Mb pSRAM Page Mode
Page Mode
Version
C
E
Performance Grade
-65
-60
-65
-70
Density
32Mb pSRAM
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
VCC
Power
Supply
2.7
3.6
V
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
VIH
Input High
Level
1.4
VCC +
0.2
V0.8 Vccq
VCC
+ 0.2
V0.8 Vccq
VCC
+ 0.2
V
0.8
Vccq
VCC
+
0.2
V
VIL
Input Low
Level
-0.2
0.4
V
-0.2
0.2
Vccq
V-0.2
0.2
Vccq
V-0.2
0.2
Vccq
V
IIL
Input
Leakage
Current
Vin = 0 to VCC
0.5
A
1
A
1
A
1
A
ILO
Output
Leakage
Current
OE = VIH or
Chip Disabled
0.5
A
1
A
1
A
1
A
VOH
Output High
Voltage
IOH = -1.0 mA
VV
V
IOH = -0.2 mA
0.8
Vccq
IOH = -0.5 mA
0.8 Vccq
0.8
Vccq
VOL
Output Low
Voltage
IOL = 2.0 mA
VV
V
IOL = 0.2 mA
0.2
IOL = 0.5 mA
0.2
Vccq
0.2
Vccq
0.2
Vccq
IACTIVE
Operating
Current
VCC = 3.3 V
25
mA
25
mA
25
mA
25
mA
ISTANDBY
Standby
Current
VCC = 3.0 V
A
VCC = 3.3 V
100
120
IDEEP
SLEEP
Deep Power
Down
Current
10
A
10
A
10
A
10
A
IPAR 1/4
1/4 Array
PAR Current
65
A
75
A
75
A
75
A
IPAR 1/2
1/2 Array
PAR Current
80
A
90
A
90
A
90
A
Table 18. 64Mb pSRAM Page Mode
Page Mode
Performance Grade
-70
Density
64Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
VCC
Power Supply
2.7
3.3
V
VIH
Input High Level
0.8 Vccq
VCC + 0.2
V
VIL
Input Low Level
-0.2
0.2 Vccq
V
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