參數(shù)資料
型號(hào)： S71GL064A08BFI0B2
廠商： SPANSION LLC
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝： 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁(yè)數(shù)： 111/134頁(yè)
文件大?。?/td> 2383K
代理商： S71GL064A08BFI0B2
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S71GL064A based MCPs
S71GL064A_00_A2 February 8, 2005
Advance
Info rmation
DC Characteristics
Table 13. 4Mb pSRAM Asynchronous
Asynchronous
Performance Grade
-70
Density
4Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
VCC
Power Supply
2.7
3.3
V
VIH
Input High Level
0.8 Vccq
VCC + 0.3
V
VIL
Input Low Level
-0.3
0.4
V
IIL
Input Leakage
Current
Vin = 0 to VCC
0.5
A
ILO
Output Leakage
Current
OE = VIH or
Chip Disabled
0.5
A
VOH
Output High
Voltage
IOH = -1.0 mA
V
IOH = -0.2 mA
0.8 Vccq
IOH = -0.5 mA
VOL
Output Low
Voltage
IOL = 2.0 mA
V
IOL = 0.2 mA
0.2
IOL = 0.5 mA
IACTIVE
Operating
Current
VCC = 3.3 V
25
mA
ISTANDBY Standby Current
VCC = 3.0 V
70
A
VCC = 3.3 V
IDEEP
SLEEP
Deep Power
Down Current
xA
IPAR 1/4
1/4 Array PAR
Current
xA
IPAR 1/2
1/2 Array PAR
Current
xA
Table 14. 8Mb pSRAM Asynchronous
Asynchronous
Version
B
C
Performance Grade
-55
-70
Density
8Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
VCC
Power Supply
2.7
3.3
V
2.7
3.6
V
2.7
3.3
V
VIH
Input High Level
2.2
VCC + 0.3
V
2.2
VCC + 0.3
V
0.8
VCC+0.3
V
VIL
Input Low Level
-0.3
0.6
V
-0.3
0.6
V
-0.3
0.4
V
IIL
Input Leakage
Current
Vin = 0 to VCC
0.5
A
0.5
A
0.5
A
ILO
Output Leakage
Current
OE = VIH or
Chip Disabled
0.5
A
0.5
A
0.5
A
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