參數(shù)資料
型號： SI824XCLASSD-KIT
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 2/30頁
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描述： BOARD EVAL FOR SI824X
標準包裝： 1
放大器類型： D 類
輸出類型： 2 通道（立體聲）
在某負載時最大輸出功率 x 通道數(shù)量： 120W x 2 @ 8 歐姆
板類型： 完全填充
已用 IC / 零件： Si824x
已供物品： 板
其它名稱： 336-2002
Si824x
10
Rev. 1.0
Table 5. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics*
Parameter
Symbol
Test Condition
Characteristic
Unit
NB SOIC-16
Maximum Working Insulation Voltage
VIORM
560
V peak
Input to Output Test Voltage
VPR
Method b1
(VIORM x1.875 =VPR,
100%
Production Test, tm = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
1050
V peak
Transient Overvoltage
VIOTM
t = 60 sec
4000
V peak
Pollution Degree
(DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at TS,
VIO =500 V
RS
>109
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si824x provides a climate classification of
40/125/21.
Table 6. IEC Safety Limiting Values1
Parameter
Symbol
Test Condition
NB SOIC-16
Unit
Case Temperature
TS
150
°C
Safety Input Current
IS
JA = 105 °C/W (NB SOIC-16),
VDDI =5.5 V,
VDDA =VDDB=24 V,
TJ = 150 °C, TA =25°C
50
mA
Device Power Dissipation2
PD
1.2
W
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure. Refer to the thermal derating curve in Figure 5.
2. The Si82xx is tested with VDDI =5.5 V, VDDA =VDDB =24 V, TJ =150 C, CL = 100 pF, input 2 MHz 50% duty cycle
square wave.
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