參數(shù)資料
型號(hào)： SPI10N10
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP 1000PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： SPI10N10
2002-01-31
Page 7
Preliminary data
SPI10N10
SPP10N10,SPB10N10
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 10.3 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
mJ
60
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 10.3 A pulsed
0
4
8
12
16
nC
24
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP10N10
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPP10N10
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP10N10 CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
SPI20N60C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPI73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPB73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPI10N10L 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI10N10LXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
SPI11N60C3 功能描述:MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI11N60C3HKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
SPI11N60C3XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube
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