參數(shù)資料
型號： SPP10N10
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 787K
代理商： SPP10N10
2002-01-31
Page 3
Preliminary data
SPI10N10
SPP10N10,SPB10N10
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=7.8A
2.6
5.8
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
320
72
43
8.2
46
29
23
426
96
65
12
69
44
35
pF
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
I
D
=10.3A,
R
G
=2.2
ns
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A
-
-
-
2.3
7.9
14.6
3
nC
11.9
19.4
Gate charge total
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A,
V
GS
=0 to 10V
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A
-
6.4
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
I
S
T
C
=25°C
-
-
10.3
A
I
SM
-
-
41.2
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=10.3A
-
-
-
0.93
57
134
1.25
71
167
V
ns
nC
V
R
=50V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
相關PDF資料
PDF描述
SPI20N60C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPI73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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SPP11001J 制造商:IRCTT 制造商全稱:IRC - a TT electronics Company. 功能描述:Low-Cost General Purpose Conformal Coated Wirewound Resistor
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