參數(shù)資料
型號: SPP10N10
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
中文描述: SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 787K
代理商: SPP10N10
2002-01-31
Page 7
Preliminary data
SPI10N10
SPP10N10,SPB10N10
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 10.3 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
mJ
60
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 10.3 A pulsed
0
4
8
12
16
nC
24
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP10N10
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPP10N10
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI20N60C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPI73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPB73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP10N10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP11001J 制造商:IRCTT 制造商全稱:IRC - a TT electronics Company. 功能描述:Low-Cost General Purpose Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP11001K 制造商:IRCTT 制造商全稱:IRC - a TT electronics Company. 功能描述:Low-Cost General Purpose Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1-1200JLF 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:SPP Series 1 W 120 Ohms 5 % 300 PPM Low Cost Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP1-1200JLF-B 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:SPP Series 1 W 120 Ohms 5% Conformal Coated Wirewound Resistor