參數(shù)資料
型號： STB40NF10-1
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.024ohm - 50A條TO-220/D2PAK/I2PAK低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： STB40NF10-1
STB40NF10L
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Transfer Characteristics
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Static Drain-source On Resistance
Transconductance
Output Characteristics
Capacitance Variations
相關PDF資料
PDF描述
STB40N20 N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STB40NS15 CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
STB45NF06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
STB45NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB40NF10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB40NF10LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NF20 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB40NS15 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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