參數(shù)資料
型號： STB40NS15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： N溝道150伏- 0.042ohm - 40A條采用D2PAK⑩MOSFET的網(wǎng)格密胺
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 158K
代理商： STB40NS15
1/9
April 2001
STB40NF10L
N-CHANNEL 100V - 0.028
- 40A D2PAK
LOW GATE CHARGE STripFET
POWER MOSFET
(1) Starting T
j
= 25
°
C, I
D
= 20A, V
DD
= 40V
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.028
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
This Power Mosfet series realized with STMicro-
electronics unique STripFET processhas specifical-
ly beendesigned to minimize input capacitance and
gate charge. It is therefore suitable as primary
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC
converters for Telecom and Computer application.It
is also intended for any application with low gate
charge drive requirements.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
UPS AND MOTOR CONTROL
I
AUTOMOTIVE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
(
G
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB40NF10L
100 V
< 0.033
40 A
Parameter
Value
Unit
100
V
100
±
15
V
V
40
A
25
A
160
A
150
W
1
W/
°
C
mJ
E
AS
(1)
T
stg
T
j
Single Pulse Avalanche Energy
430
Storage Temperature
–65 to 175
°
C
°
C
Max. Operating Junction Temperature
175
D2PAK
1
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45NF06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
STB45NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB4NB50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA
STB4NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB40NS15T4 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB42N65M5 功能描述:MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB432S 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor
STB434S 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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