參數(shù)資料
型號： STB40NS15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： N溝道150伏- 0.042ohm - 40A條采用D2PAK⑩MOSFET的網(wǎng)格密胺
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 158K
代理商： STB40NS15
3/9
STB40NF10L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
25
Max.
Unit
ns
t
r
Rise Time
82
ns
Q
g
Q
gs
Total Gate Charge
V
DD
= 80V, I
D
=40A,V
GS
= 5V
46
64
nC
Gate-Source Charge
12
nC
Q
gd
Gate-Drain Charge
22
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 50 V, I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Vclamp =80V,I
D
= 40 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
64
24
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
51
29
53
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
40
A
Source-drain Current (pulsed)
160
A
Forward On Voltage
I
SD
= 40 A, V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di/dt = 100A/
μ
s,
V
DD
= 30V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
110
467
8
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB45NF06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
STB45NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB4NB50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA
STB4NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB40NS15T4 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB42N65M5 功能描述:MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB432S 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor
STB434S 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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