- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372325 > STB40NS15 (意法半導(dǎo)體) CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB40NS15 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| 中文描述： | N溝道150伏- 0.042ohm - 40A條采用D2PAK⑩MOSFET的網(wǎng)格密胺 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/9頁(yè) |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | STB40NS15 |
9/9
STB40NF10L
Information furnished is believed to beaccurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for theconsequences
of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is
granted by implication or otherwise underany patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are
subject to change without notice. Thispublication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products
are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.
The ST logois a trademarkof STMicroelectronics
2001 STMicroelectronics – Printed in Italy – AllRights Reserved
STMicroelectronicsGROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil - China - Finland- France- Germany- Hong Kong - India- Italy- Japan - Malaysia - Malta - Morocco -
Singapore - Spain -Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.
http://www.st.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB45NF06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF3LLT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB4NB50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
| STB4NB50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB40NS15T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB42N60M2-EP | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB42N65M5 | 功能描述:MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB432S | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| STB434S | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。